Notice: Undefined index: group_show in /home/www/html/de.liang360.net/html/wap/know.inc.php on line 66 LED-Wafer-Prozess|Know|de.liang360.net|Powered By Destoon
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LED-Wafer-Prozess
Datum:2011-06-07 17:07
Staat:ungeloest
Frage:admin
f die Verwendung von Mikro-Rauhigkeit der Silizium-Oberflche zu verbessern, die allgemeine Entfernung 1 um, unterhalb derer die Ebenheit von Silizium-Wafern zu hoch. Feinschliff flssige Abflle erzeugt.
Test: Prfen Sie, ob die Anforderungen von Silizium, die nicht den neuen Polieren oder von der RCA-Reinigung. Test: Sehen Sie sich die Silizium-Oberflche sauber ist, neue Brste von der Oberflche, wie schmutzig bis zu reinigen.
Verpackung: Die Verpackung polierte Silizium.
Chips in kleine Chips mach
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