LED-Wafer-Prozess
Datum:2011-06-07 17:07
Staat:ungeloest
Frage:admin
atrlichen Oxidschicht wurde in die Reinigungslsung gelst, whrend DHF hemmt die Bildung der Oxidschicht. Dieses Verfahren erzeugt Fluorwasserstoff und Flusure Abflle.
APM-Reinigung: APM-Lsung, die Lsung durch einen bestimmten Prozentsatz des NH4OH, H2O2-Lsung Zusammensetzung, erzeugt die Oberflche des Siliziumoxidfilm H2O2-Oxidation (ca. 6 nm wurde hydrophil), die Oxidschicht hat NH4OH Korrosion, Oxidation erfolgte unmittelbar nach Korrosion, Oxidation und Korrosion wiederholt, so auf den Siliziu
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