LED-Wafer-Prozess
Datum:2011-06-07 17:07
Staat:ungeloest
Frage:admin
m-Oberflche der Partikel angeschlossen und auch mit der Korrosion der Metallschicht in der Reinigungsflssigkeit. Ammoniak und Ammoniak erzeugten Abflle hier. HPM Reinigung: von HCl-Lsung und H2O2-Lsung um einen bestimmten Prozentsatz von HPM, die Silizium-Oberflche fr die Entfernung von Natrium, Eisen, Magnesium und Zink und anderen metallischen Verunreinigungen besteht. Dieses Verfahren erzeugt Chlorwasserstoff und Salzsure Abflle.
DHF-Reinigung: Entfernen eines Prozesses auf der Oberflche des
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